Ji dîroka pêşkeftina çîpê, rêgeza pêşkeftina çîpê leza bilind, frekansa bilind, xerckirina hêza kêm e.Pêvajoya çêkirina çîpê bi gelemperî sêwirana çîpê, çêkirina çîpê, çêkirina pakkirinê, ceribandina lêçûn û girêdanên din vedihewîne, di nav wan de pêvajoya çêkirina çîpê bi taybetî tevlihev e.Ka em li pêvajoya çêkirina çîpê, nemaze pêvajoya çêkirina çîpê binêrin.
Ya yekem sêwirana çîpê ye, li gorî hewcedariyên sêwiranê, "pattern" hatî çêkirin.
1, madeya xav a çîpê wafer
Pêkhateya waferê silicon e, silicon ji hêla qûma quartz ve tê paqij kirin, wafer elementa siliconê tê paqij kirin (% 99,999), û dûv re silicona paqij di nav darê siliconê de tê çêkirin, ku ji bo çêkirina çerxa yekbûyî dibe materyalê nîvconductor quartz. , perçe hewcedariya taybetî ya wafera hilberîna çîpê ye.Wafer çiqas ziravtir be, lêçûna hilberînê kêm e, lê hewcedariyên pêvajoyê ew qas bilindtir dibe.
2.Pirkirina wafer
Kişandina wafer dikare li dijî oksîdasyon û germahiyê li ber xwe bide, û materyal celebek berxwedanê ye.
3, pêşveçûna lîtografî ya wafer, etching
Di pêvajoyê de kîmyewî bikar tîne ku ji ronahiya UV re hesas in, ku wan nerm dike.Şêweya çîpê dikare bi kontrolkirina pozîsyona siyê were bidestxistin.Waferên silicon bi fotoresîst têne pêçandin da ku ew di ronahiya ultraviyole de belav bibin.Li vir e ku meriv dikare şilkirina yekem were sepandin, da ku beşek ji ronahiya UV-ê were hilweşandin, ku dûv re dikare bi çareserkerek were şûştin.Ji ber vê yekê ya mayî heman şiklê siyê ye, ya ku em dixwazin ev e.Ev tebeqeya silica ku em hewce ne dide me.
4, Nepakî lê zêde bikin
Iyon di nav waferê de têne çandin da ku nîvconduktorên P û N yên têkildar çêbikin.
Pêvajo bi deverek vekirî ya li ser silicon wafer dest pê dike û di nav tevliheviyek îyonên kîmyewî de tê danîn.Pêvajo dê awayê ku devera dopant elektrîkê dimeşîne biguhezîne, bihêle ku her transîstor vebike, veke an daneyan hilgire.Çîpên sade dikarin tenê yek qatek bikar bînin, lê çîpên tevlihev bi gelemperî gelek qat hene, û pêvajo dîsa û ji nû ve tê dubare kirin, digel ku qatên cûda bi pencereyek vekirî ve girêdayî ne.Ev dişibihe prensîba hilberîna panela PCB ya qatê.Dibe ku çîpên tevlihevtir gelek qatên silica hewce bike, ku dikare bi lîtografiya dubare û pêvajoya jor ve were bidestxistin, ku avahiyek sê-alî pêk tîne.
5.Vafer ceribandin
Piştî çend pêvajoyên li jor, wafer tîrêjek ji genim ava kir.Taybetmendiyên elektrîkê yên her tov bi rêya 'pîvana derziyê' hatin lêkolînkirin.Bi gelemperî, hejmara genimên her çîpê pir mezin e, û ew pêvajoyek pir tevlihev e ku meriv moda testa pin-ê organîze bike, ku hewce dike ku hilberîna girseyî ya modelên bi heman taybetmendiyên çîpê heya ku gengaz be di dema hilberînê de.Çiqas bilindtir be, ew qas lêçûn kêm dibe, ev yek ji wan sedemên ku cîhazên çîpê yên sereke ew qas erzan in.
6. Encapsulation
Piştî ku wafer tê çêkirin, pin tê sabît kirin, û li gorî hewcedariyên cûrbecûr formên pakkirinê têne hilberandin.Ev sedem e ku heman çîp core dikare formên pakkirinê yên cihêreng hebe.Mînakî: DIP, QFP, PLCC, QFN, hwd. Ev bi giranî ji hêla adetên serîlêdanê yên bikarhêneran, hawîrdora serîlêdanê, forma bazarê û faktorên din ên derdorê ve têne biryardan.
7. Testkirin û pakkirinê
Piştî pêvajoya jorîn, çêkirina çîpê qediya, ev gav ceribandina çîpê, rakirina hilberên xelet û pakkirinê ye.
Ya jor naveroka têkildar a pêvajoya çêkirina çîpê ye ku ji hêla Create Core Detection ve hatî organîze kirin.Ez hêvî dikim ku ew ê ji we re bibe alîkar.Pargîdaniya me xwedan endezyarên profesyonel û tîmê elîta pîşesaziyê ye, 3 laboratîfên standardkirî hene, qada laboratîfê ji 1800 metre çargoşe zêdetir e, dikare verastkirina ceribandina pêkhateyên elektronîkî, nasnameya IC-ya rast an derewîn, hilbijartina materyalê sêwirana hilberê, analîzkirina têkçûnê, ceribandina fonksiyonê bike, Vekolîna materyalê ya gihîştina kargehê û tape û projeyên din ên ceribandinê.
Dema şandinê: Jun-12-2023