Gelek projeyên endezyarên hardware li ser panelê qul têne qedandin, lê diyardeyek heye ku bi xeletî termînalên erênî û neyînî yên dabînkirina elektrîkê bi hev ve girêdide, ku dibe sedema şewitandina gelek hêmanên elektronîkî, û hetta tevahiya panelê têk diçe, û pêdivî ye ku dîsa were weld kirin, ez nizanim çi rêyek baş e ku wê çareser bike?
Beriya her tiştî, xemsarî neçar e, her çend ew tenê ji hev cudakirina du têlên erênî û neyînî ye, sor û reş, dibe ku carekê were girêdan, em ê xeletiyan nekin;Deh girêdan dê xelet neçin, lê 1,000?10,000 çi ye?Di vê demê de dijwar e ku mirov bêje, ji ber xemsariya me, ku dibe sedema şewitandina hin pêkhateyên elektronîkî û çîpên, sedema bingehîn ew e ku niha pir zêde pêkhateyên balyoz têk diçin, ji ber vê yekê divê em tedbîran bigirin da ku pêşî li girêdana berevajî bigirin. .
Rêbazên jêrîn bi gelemperî têne bikar anîn hene:
01 rêzika diodê ya cureya parastina dijî-berepaş
Di ketina hêza erênî de dîodek pêş bi rêz ve girêdayî ye ku bi tevahî taybetmendiyên diodê yên rêvekirina pêş û qutkirina berevajî bikar bîne.Di bin şert û mercên normal de, lûleya duyemîn dimeşe û panelê kar dike.
Dema ku dabînkirina elektrîkê berevajî dibe, diod qut dibe, dabînkirina hêzê nikare lûkek çêbike, û panela dorhêlê naxebite, ku dikare bi bandor pêşî li pirsgirêka dabînkirina hêzê bigire.
02 çerxa parastina dijî-berepaş ya pira rastker
Pira rastker bikar bînin da ku têketina hêzê li têketinek ne-polar biguhezînin, gelo dabînkirina hêzê girêdayî be an berevajî be, panel bi gelemperî dixebite.
Ger dioda silicon xwedan daketinek zextê ya bi qasî 0,6 ~ 0,8 V heye, dioda germaniumê jî xwedan kêmbûna zextê ya bi qasî 0,2 ~ 0,4 V heye, heke daketina zextê pir mezin be, lûleya MOS dikare ji bo dermankirina dijî-reaksiyonê were bikar anîn. daketina zexta lûleya MOS-ê pir piçûk e, heya çend miliyohm e, û daketina zextê hema hema hindik e.
03 MOS tubeya parastina dijî-berepaş
Tîpa MOS ji ber başbûna pêvajoyê, taybetmendiyên xwe û faktorên din, berxwedana wê ya hundurîn piçûk e, gelek ji wan di asta milyohm de, an jî piçûktir in, ji ber vê yekê daketina voltaja dorpêçê, windabûna hêzê ya ku ji hêla çerxê ve hatî çêkirin bi taybetî piçûk e, an jî neguhezbar e. , ji ber vê yekê lûleya MOS-ê hilbijêrin da ku dorpêçê biparêze rêyek bêtir pêşniyarkirî ye.
1) Parastina NMOS
Wekî ku li jêr tê xuyang kirin: Di dema pêvekêşanê de, dioda parazît a lûleya MOS-ê tê guheztin, û pergal lûkek çêdike.Potansiyela çavkaniya S bi qasî 0.6V e, dema ku potansiyela deriyê G Vbat e.Voltaja vekirina lûleya MOS-ê zehf e: Ugs = Vbat-Vs, derî bilind e, ds-a NMOS-ê pêve ye, dîoda parazît-kurt-cirûbirkirî ye, û pergal di nav gihîştina ds-ê ya NMOS-ê de xelekek çêdike.
Ger dabînkirina hêzê berevajî be, voltaja NMOS-ê 0 ye, NMOS qut dibe, dîoda parazît berevajî dibe, û çerx tê qut kirin, bi vî rengî parastinê çêdibe.
2) Parastina PMOS
Wekî ku li jêr tê xuyang kirin: Di dema pêvekêşanê de, dioda parazît a lûleya MOS-ê tê guheztin, û pergal lûkek çêdike.Potansiyela çavkaniya S li ser Vbat-0.6V e, dema ku potansiyela deriyê G 0 ye. Voltaja vekirina lûleya MOS zehf e: Ugs = 0 - (Vbat-0.6), derî wekî astek nizm tevdigere. , ds-a PMOS-ê pêve ye, dioda parazît-kurt-dorpêçkirî ye, û pergal di nav gihîştina ds-ê ya PMOS-ê de lûkek çêdike.
Ger dabînkirina hêzê berevajî bibe, voltaja NMOS-ê ji 0-ê mezintir e, PMOS tê qut kirin, dîoda parazît berevajî dibe, û çerx tê qut kirin, bi vî rengî parastinê çêdibe.
Nîşe: lûleyên NMOS-ê bi elektroda neyînî ve, lûleyên PMOS-ê bi elektroda erênî ve diherikin, û rêça dioda parazît ber bi arasteka rast ve girêdayî ye.
Gihîştina stûnên D û S yên lûleya MOS: bi gelemperî dema ku lûleya MOS ya bi kanala N tê bikar anîn, niha bi gelemperî ji pola D dikeve û ji pola S diherike, û PMOS dikeve û D ji S-yê derdikeve. pola, û berevajî wê rast e dema ku di vê çerxê de were sepandin, rewşa voltaja lûleya MOS-ê bi rêgirtina dîoda parazît pêk tê.
Heya ku voltaja guncaw di navbera polên G û S de were saz kirin dê lûleya MOS bi tevahî were veguheztin.Piştî rêvekirinê, ew mîna guhezek di navbera D û S de girtî ye, û niha ji D ber S an S ber D heman berxwedan e.
Di serîlêdanên pratîkî de, pola G bi gelemperî bi berxwedanek ve girêdayî ye, û ji bo ku lûleya MOS-ê têk nebe, dikare diodek rêkûpêk a voltajê jî were zêdekirin.Capacitorek ku paralel bi dabeşkerek ve girêdayî ye xwedan bandorek destpêkek nerm e.Di wê gavê de ku niha dest bi herikînê dike, kondensator tê barkirin û voltaja pola G hêdî hêdî tê çêkirin.
Ji bo PMOS-ê, bi NOMS-ê re, pêdivî ye ku Vgs ji voltaja sînor mezintir be.Ji ber ku voltaja vekirinê dikare 0 be, cûdahiya zextê di navbera DS de ne mezin e, ku ji NMOS-ê bikêrtir e.
04 Parastina sîgorteyê
Gelek hilberên elektronîkî yên hevpar piştî vekirina beşa dabînkirina hêzê bi sîgorteyê têne dîtin, di dabînkirina elektrîkê de berevajî dibe, ji ber herikîna mezin di çerçoveyê de qutbûnek kurt heye, û dûv re sîgorte diteqe, di parastina tîrêjê de rolek dileyze. çerxa, lê bi vî rengî tamîrkirin û veguheztin tengahîtir e.
Dema şandinê: 10-ê Tîrmeh-2023